作為世界頂級的RF模塊供應商，RFMD在十年前開始進入中國并且當時就開設了后道封裝測試工廠，這是為了給當時的諾基亞的星網(wǎng)工業(yè)園做配套，正是這一機緣，他們與自己的競爭對手相比就有了供應鏈上的優(yōu)勢。據(jù)RFMD總裁兼首席執(zhí)行官包國富（Bob Bruggeworth）透露，他們從來沒有對中國客戶缺貨的情況發(fā)生，這是他們中國戰(zhàn)略的集中體現(xiàn)。5年前，RFMD在上海設立了研發(fā)中心，現(xiàn)在RFMD在中國已經(jīng)有2000名員工，在北京、上海和深圳擁有辦事機構，從制造、研發(fā)到銷售，人員非常整齊。
原來在國內他們主要做中低端的RF模塊，但是5年前在上海設立研發(fā)中心以后，大力投入，現(xiàn)在已經(jīng)是全球三大研發(fā)中心之一?，F(xiàn)在全球最先進的產(chǎn)品都已經(jīng)放在上海進行研發(fā)，從最早的GSM到WCDMA和LTE，以及中國的TD-SCDMA產(chǎn)品，都在中國進行研發(fā)?，F(xiàn)在聯(lián)想、中興、華為、展訊和高通中國，都已經(jīng)是RFMD在中國的戰(zhàn)略客戶，相比他們的主要競爭對手他們在中國的投入更大，公司的一半員工在中國。他們的基帶芯片伙伴，展訊、聯(lián)發(fā)科甚至高通現(xiàn)在都在中國，所以中國市場已經(jīng)是RFMD最看重的市場。
從去年開始，整個中國的市場在往3G轉，不管是高端還是低端產(chǎn)品。而在上網(wǎng)的時候，機器所消耗的能量中80%都來自終端的RF功放，基帶和收發(fā)器只占有20%的功耗，所以功放的能源效率對于終端的續(xù)航時間是一個極端重要的問題。而他們的PowerSmart產(chǎn)品就是為了提高功放的能源效率。RFMD前不久發(fā)布的最新的PowerSmart功率平臺產(chǎn)品系列，納入多個全新的3G和4G LTE PowerSmart產(chǎn)品型號。這是一個能夠支持達12個4G LTE、3G和2G頻段的聚合多模式、多頻段功率平臺。PowerSmart 4G特別適用于4G LTE操作，是RFMD第一代PowerSmart功率平臺的擴展，與第一代PowerSmart功率平臺相比，增加了三個額外的3G或4G頻段。PowerSmart 4G還包括所有必要的開關和信號調節(jié)功能且具有緊湊的參考設計，可為智能手機制造商提供適用于所有前端的單個可擴展來源。
針對目前多頻多模的3G/4G手機，多顆射頻前端器件的方案不僅成本高，占位面積大，而且也給設計帶來不便。如何集成這些不同頻段和制式的射頻前端器件是業(yè)界一直在研究的重要課題。目前有兩種方案：一種是融合架構，將不同頻率的射頻功率放大器集成；另一種架構則是沿信號鏈路的集成，即將功放與雙工器集成,稱為PAD。包國富認為兩種方案各有優(yōu)缺點：融合架構，功放的集成度高，有明顯的尺寸優(yōu)勢和成本優(yōu)勢。缺點是功放集成時有開關損耗，性能會受影響。而后一種架構性能更好，功放與雙功器集成可以提升電流特性，可以提供更好的待機時間。顯然RFMD選擇了融合架構，因為它們的功放效率高，更加看重的是尺寸和成本，這在消費電子領域是最關鍵的兩大因素。
PowerSmart產(chǎn)品系列還包括一個全新的功率平臺，該平臺經(jīng)過優(yōu)化，適用于新興3G入口(3Ge)應用，且能夠支持多達七個3G或2G頻段的多模式、多頻段范圍。與PowerSmart 4G類似，適用于新興3Ge應用的RFMD PowerSmart功率平臺也包括所有必要的開關和信號調節(jié)功能且具有緊湊的參考設計。除了4G和3Ge功率平臺之外，RFMD仍在擴展PowerSmart產(chǎn)品系列，將增加多個3G和4G分立式功率放大器。分立式功率放大器可以與任一RFMD PowerSmart功率平臺隨意搭配，以擴展頻段或模式范圍。通過與PowerSmart功率平臺中的RF Configurable Power Core串聯(lián)，這些分立式功率放大器能在補償功率下提供很高的效率。
同時在非常重要的開關領域，RFMD的制造技術已經(jīng)可以用CMOS標準工藝來制造開關，而以前開關只能使用砷化鎵工藝才能滿足要求，這對于期間的成本節(jié)省是非常重要的，而且也大大減少了砷化鎵晶圓的需求量，使得砷化鎵晶圓的產(chǎn)能遠遠高于實際需求，而他們會將更多的精力投入氮化鎵工藝的研發(fā)，現(xiàn)在氮化鎵工藝的晶圓只能做到3英寸大小，離開大規(guī)模量產(chǎn)的6英寸晶圓還有很大的距離。
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